| 蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文) | |
| 赵湘楠 ; 韩彦军 ; 孙长征 ; 罗毅 ; ZHAO Xiangnan ; HAN Yanjun ; SUN Changzheng ; LUO Yi | |
| 2016-03-30 ; 2016-03-30 | |
| 关键词 | 氮化镓薄膜 声表面波 集成 gallium nitride thin film surface acoustic wave integration TN304.2 |
| 其他题名 | Investigation of Surface Acoustic Wave Characteristics in Gallium Nitride Thin Film Grown on Sapphire |
| 中文摘要 | 研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。; The characteristics of surface acoustic wave(SAW)on undoped GaN/sapphire,p-GaN/sapphire and p-GaN/n-GaN/sapphire are investigated.For p-GaN grown on sapphire,the Rayleigh wave mode and Sezawa mode are observed with centre frequency of 255MHz and 460MHz,and insertion loss of-42dB are obtained,respectively.In addition,the effect of annealing process is investigated.The sidelobe rejection of the Rayleigh mode and Sezawa mode are improved by 5.5dB and 10.2dB respectively after annealing at 800Kin N2atmosphere.The results show that GaN film with high resistivity,enough thickness and smooth morphology is a very promising material for real RF monolithic integrated filter. |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.lib.tsinghua.edu.cn/ir/item.do?handle=123456789/146628]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵湘楠,韩彦军,孙长征,等. 蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)[J],2016, 2016. |
| APA | 赵湘楠.,韩彦军.,孙长征.,罗毅.,ZHAO Xiangnan.,...&LUO Yi.(2016).蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文).. |
| MLA | 赵湘楠,et al."蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)".(2016). |
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