1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较 | |
李大伟 ; 陶春先 ; 李笑 ; 赵元安 ; 邵建达 | |
刊名 | 强激光与粒子束
![]() |
2008 | |
卷号 | 20期号:9页码:1457 |
关键词 | 光学薄膜 激光损伤 电子束蒸发 电子缺陷 1064 nm lasers Damage behaviors Damage thresholds Electron beam evaporation Electron beam evaporations Electronic defects Laser induced Laser induced damage Optical thin films |
ISSN号 | 1001-4322 |
其他题名 | Comparison of laser induced damage at 1064 nm and 532 nm to high-reflective film fabricated by electron beam evaporation |
中文摘要 | 研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1064nm与532nm激光辐照下的损伤行为。基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑。当能量密度较大时出现分层剥落;二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑,辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑,但电子缺陷的损伤阈值更低;随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌。分析认为,辐照激光波长的变化。引起吸收机制的变化从而导致了损伤阈值及损伤机制的差异。; The damage behaviors of HfO |
学科主题 | 光学薄膜 |
分类号 | O484 |
收录类别 | EI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-09-22 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4626] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李大伟,陶春先,李笑,等. 1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较[J]. 强激光与粒子束,2008,20(9):1457, 1460. |
APA | 李大伟,陶春先,李笑,赵元安,&邵建达.(2008).1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较.强激光与粒子束,20(9),1457. |
MLA | 李大伟,et al."1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较".强激光与粒子束 20.9(2008):1457. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论