晶格缺陷调制Co:ZnO薄膜的室温铁磁性 | |
刘雪敬 ; 宋成 ; 曾飞 ; 潘峰 | |
2010-07-15 ; 2010-07-15 | |
会议名称 | TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 ; TFC'07全国薄膜技术学术研讨会 ; 中国甘肃兰州 ; CNKI ; 中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室 |
关键词 | O484 |
中文摘要 | <正>利用直流反应磁控溅射法在硅片上制备了 Co:ZnO 薄膜,并在不同温度(200、 400和600℃)下对薄膜进行了真空退火处理,系统研究了退火对 Co:ZnO 薄膜微结构和磁性能的影响。研究结果表明,CO~(2+)取代 Zn~(2+)的位置进入 ZnO 的晶格, 所有的薄膜均具有高度 c 轴择优取向的纤锌矿结构,并且显示室温铁磁性。原位 |
语种 | 中文 ; 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/70453] ![]() |
专题 | 清华大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘雪敬,宋成,曾飞,等. 晶格缺陷调制Co:ZnO薄膜的室温铁磁性[C]. 见:TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集, TFC'07全国薄膜技术学术研讨会, 中国甘肃兰州, CNKI, 中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室. |
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