| Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其相关性能 | |
| 潘峰 ; 宋成 ; 刘雪敬 | |
| 2010-07-15 ; 2010-07-15 | |
| 会议名称 | TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 ; TFC'07全国薄膜技术学术研讨会 ; 中国甘肃兰州 ; CNKI ; 中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室 |
| 关键词 | TB383.2 |
| 中文摘要 | 稀磁半导体以其独特的结构与性能引起人们极大关注,Co 掺杂 ZnO 具有高的居里温度而成为有应用前景的稀磁半导体材料之一。作者采用射频反应共溅射的方法成功制备出具有高度 c 轴取向的和单晶结构的 Co：ZnO 薄膜,通过工艺参数的调整制备出缺陷密度不同的稀磁材料,证明结构缺陷可显著增强该类材料稀磁特性。利用具有半导体特性的 Co：ZnO 材料与具有绝缘特性的 ZnO 材料成功构造出具有单晶外延结构的 Co：ZnO/ZnO/Co：ZnO 结,在4K 时其隧道磁电阻 TMR 可达到20．8％,室温时仍然保持0．35％。 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/66496]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘峰,宋成,刘雪敬. Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其相关性能[C]. 见:TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集, TFC'07全国薄膜技术学术研讨会, 中国甘肃兰州, CNKI, 中国真空学会薄膜专业委员会、中国航天科技集团公司五一○研究所、表面工程技术国家级重点实验室. |
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