CORC  > 清华大学
离子束辅助沉积入射角对Fe_XCr_(1-X)薄膜微结构及磁性的影响
谷宇 ; 曾飞 ; 耿魁伟 ; 潘峰
2010-07-15 ; 2010-07-15
会议名称TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 ; TFC'05全国薄膜技术学术研讨会 ; 中国大连 ; CNKI ; 中国真空学会薄膜专业委员会、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
关键词离子束辅助沉积 入射角 择优取向 磁各向异性 TB383
中文摘要<正> 离子束入射角度对薄膜结构及性能的影响在近年来得到了广泛的关注。在Al、Nb以及Hf等纯金属薄膜中已有较深入的研究,并有相关理论提出。本文选择了Fe-Cr二元金属系统,采用离子束辅助沉积技术,进一步探索了离子束入射角对Fe_x,Cr_(1-x)薄膜微结构及磁性的影响。实验中,在固定入射能量4keV和入射束流12μA/cm~2的情况下,制备了厚度为50nm的不同离子束入射角(0,15,30,45,60,75度)的Fe_xCr_(1-x)薄膜(x=50,67)。在两组不
语种中文 ; 中文
内容类型会议论文
源URL[http://hdl.handle.net/123456789/66427]  
专题清华大学
推荐引用方式
GB/T 7714
谷宇,曾飞,耿魁伟,等. 离子束辅助沉积入射角对Fe_XCr_(1-X)薄膜微结构及磁性的影响[C]. 见:TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集, TFC'05全国薄膜技术学术研讨会, 中国大连, CNKI, 中国真空学会薄膜专业委员会、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室.
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