| CCD电离辐射效应损伤机理分析 | |
| 王祖军 ; 唐本奇 ; 肖志刚 ; 刘敏波 ; 黄绍艳 ; 张勇 ; 陈伟 ; 刘以农 ; WANG Zu-jun ; TANG Beng-qi ; XIAO Zhi-gang ; LIU Min-bo ; HUANG Shao-yan ; ZHANG Yong ; CHEN Wei ; LIU Yi-nong | |
| 2010-06-10 ; 2010-06-10 | |
| 关键词 | CCD电离辐射 平带电压 表面暗电流 饱和输出电压 单粒子瞬态电荷 CCD,Ionization radiation,Flatband voltage,Surface dark current,Saturation output voltage,Single particle transient signal charge TN386.5 |
| 其他题名 | The Analysis of Mechanism on Ionization Radiation Damage Effects on CCD |
| 中文摘要 | 研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理;研究了瞬态脉冲电离辐射导致CCD信号电荷损失的机理。; It is analyzed that the mechanism on total dose radiation effects and transient ionization radiation effects on CCD which induced by ionization radiation damage effects.Total dose radiation damage induces flatband voltage shift,surface dark current increase,and saturation output voltage decrease.Transient ionization radiation damage induces the generation of single particle transient signal charge,and the loss of signal charge in CCD. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/63558]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王祖军,唐本奇,肖志刚,等. CCD电离辐射效应损伤机理分析[J],2010, 2010. |
| APA | 王祖军.,唐本奇.,肖志刚.,刘敏波.,黄绍艳.,...&LIU Yi-nong.(2010).CCD电离辐射效应损伤机理分析.. |
| MLA | 王祖军,et al."CCD电离辐射效应损伤机理分析".(2010). |
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