| PIN半导体剂量率探测器的研究 | |
| 杨世明 ; 李金 ; 宫辉 ; 邵贝贝 ; YANG Shi-ming ; LI Jin ; GONG Hui ; SHAO Bei-bei | |
| 2010-06-10 ; 2010-06-10 | |
| 关键词 | 剂量率 束流管 PIN硅光电二级管 暗电流 dose rate beam pipe Si PIN diode dark current TL814 |
| 其他题名 | Measurement and study of the radiation background at interaction region of BEPCI |
| 中文摘要 | 利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESIII的剂量率在线检测奠定基础。; Using large area PIN Diodes as detectors,radiation background at interaction region of BEPCI was measured during synchrotron radiation running,beam injection and beam abort,the level,source and characteristic of the radiation background was discussed.The working status of the PIN Diodes installed near IR of BEPCI was studied,which helps the design of the online dose rate monitoring system for BESIII. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/63265]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨世明,李金,宫辉,等. PIN半导体剂量率探测器的研究[J],2010, 2010. |
| APA | 杨世明.,李金.,宫辉.,邵贝贝.,YANG Shi-ming.,...&SHAO Bei-bei.(2010).PIN半导体剂量率探测器的研究.. |
| MLA | 杨世明,et al."PIN半导体剂量率探测器的研究".(2010). |
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