沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响

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	沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响; Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films prepared by electron beam evaporation
	申雁鸣 ; 贺洪波 ; 邵淑英 ; 范正修
刊名	中国激光
	2006
卷号	33 期号:6 页码:827
关键词	薄膜 HfO2薄膜残余应力沉积温度基底电子束蒸发
ISSN号	0258-7025
其他题名	Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films prepared by electron beam evaporation
中文摘要	采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜，研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化，计算了薄膜应力。结果发现在所考察的实验条件下HfO2薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小。两种基底上薄膜的残余应力的主要产生机制不同。对于BK7玻璃基底HfO2薄膜的残余应力起决定作用的是内应力，熔融石英基底上HfO2薄膜的残余应力在较低沉积温度下制备的薄膜起决定作用的是热应力，在沉积温度进一步升高后内应力开始起决定作用。
学科主题	光学薄膜
分类号	O484.1
收录类别	ei
语种	中文
公开日期	2009-09-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4292]
专题	上海光学精密机械研究所_光学薄膜技术研究与发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	申雁鸣,贺洪波,邵淑英,等. 沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响, Influences of deposition temperature on residual stress of HfO2 films prepared by electron beam evaporation[J]. 中国激光,2006,33(6):827, 831.
APA	申雁鸣,贺洪波,邵淑英,&范正修.(2006).沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响.中国激光,33(6),827.
MLA	申雁鸣,et al."沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响".中国激光 33.6(2006):827.