| 提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术———应变Si技术 | |
| 陈长春 ; 余本海 ; 刘江峰 ; 刘志弘 ; 钱佩信 ; CHEN Chang-chun ; YU Ben-hai ; LIU Jiang-feng ; LIU Zhi-hong ; QIAN Pei-xin | |
| 2010-06-09 ; 2010-06-09 | |
| 关键词 | SiGe 应变硅 CMOS器件 SiGe strain Si CMOS devicej TN432 |
| 其他题名 | Strained Si:New Technology for Upgrading the Performance of Deep Micron Si CMOS Devices |
| 中文摘要 | 详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变 Si器件应用中存在的问题并对应变 Si技术的市场应用前景作了简单的介绍。; The origin together with characteristic of strained Si technology are thoroughly described. The advantages of strained Si and potential obstacle for its application were also introduced,respectively. Finally,we also make a brief introduction for the market prospect of strained Si technology. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/57078]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈长春,余本海,刘江峰,等. 提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术———应变Si技术[J],2010, 2010. |
| APA | 陈长春.,余本海.,刘江峰.,刘志弘.,钱佩信.,...&QIAN Pei-xin.(2010).提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术———应变Si技术.. |
| MLA | 陈长春,et al."提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术———应变Si技术".(2010). |
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