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	一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)
	王帅旗 ; 李福乐 ; 王志华 ; 张天义 ; WANG Shuai-qi ; LI Fu-le ; WANG Zhi-hua ; ZHANG Tian-yi
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	CMOS 带隙基准源 曲率补偿 低功耗 CMOS Bandgap reference Curvature compensation Lowpower consumption TN432
其他题名	A Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference
中文摘要	介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿。该电路采用双金属双多晶硅0.6μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器。仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压下,仅耗用64μA电流;0~80°C范围内,温度系数为13.7 ppm/K,电源电压抑制比为64.7 dB。; Acurvature-compensated bandgap reference is presented,whichis capable of genera-ting a si mulated reference voltage of 1.438 V.Si mulation result shows that it consumes 64μAstatic current with a supply voltage of 5 Vat roomtemperature.An ulti mate si mple but effectivetechnique is usedin this bandgap architecture to straightforwardlyi mplement the curvature com-pensation.The device achieves 13.7 ppm/Kof si mulated temperature coefficient in the tempera-ture range from0°Cto 80°C and 64.7 dB of si mulated power supply rejection ratio.Developedfor a 10-bit 20-MS/s temperature-stable ADC,the bandgap is i mplemented in a double-metaldouble-polysilicon 0.6-μm CMOS technology.; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(60475018)
语种	英语 ; 英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/56959]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王帅旗,李福乐,王志华,等. 一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)[J],2010, 2010.
APA	王帅旗.,李福乐.,王志华.,张天义.,WANG Shuai-qi.,...&ZHANG Tian-yi.(2010).一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)..
MLA	王帅旗,et al."一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)".(2010).

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