| 一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作 | |
| 雷啸锋 ; 刘泽文 ; 宣云 ; 韦嘉 ; 李志坚 ; 刘理天 ; Lei Xiaofeng ; Liu Zewen ; Xuan Yun ; Wei Jia ; Li Zhijian ; Liu Litian | |
| 2010-06-09 ; 2010-06-09 | |
| 关键词 | RFMEMS 开关 双桥结构 高隔离度 RF MEMS switch double bridge high isolation TN402 |
| 其他题名 | Design and Fabrication of K-Band Double Bridge Capacitive MEMS Switches |
| 中文摘要 | 介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz.; Design and fabrication of a novel K-band capacitive RF MEMS switch are reported.The switch consists of two suspended metallic membranes supported by a serpentine flexible spring over a coplanar waveguide.The design,which is realized with commercial EDA tools,is optimized based on a series of simulations.The simulations show that the proposed switch structure presents improved isolation in a relatively low RF frequency (K band).This switch is made using a silicon surface micromachining process.On wafer measurement is carried out.The threshold voltage is less than 19.5V,the insertion loss is 1.6dB@19.6GHz,and the isolation is 46.0dB@19.6GHz.; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G1999033105)~~ |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/56880]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷啸锋,刘泽文,宣云,等. 一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作[J],2010, 2010. |
| APA | 雷啸锋.,刘泽文.,宣云.,韦嘉.,李志坚.,...&Liu Litian.(2010).一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作.. |
| MLA | 雷啸锋,et al."一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作".(2010). |
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