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	一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型
	邵雪 ; 余志平 ; Shao Xue ; Yu Zhiping
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	非平衡态格林函数 量子力学效应 超薄沟道 三维 数值模拟 FinFET NEGF quantum effects ultra-thin channel 3D numerical simulation FinFET TN303
其他题名	A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method
中文摘要	提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.; A qusi-3D model for a FinFET device is proposed,this model is based on the non-equilibrium Green’s function (NEGF) method along the channel and the 2D Schrdinger equation in the cross-sections of the channel.With the 3D Poisson’s equation solved self-consistently,the model provides the possibility of numerical simulation for FinFETs and nanowires,which are similar to FinFET in structure.Simulation results show that the nano-scaled FinFET has excellent switching and subthreshold characteristics.; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502)~~
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/56871]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邵雪,余志平,Shao Xue,等. 一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型[J],2010, 2010.
APA	邵雪,余志平,Shao Xue,&Yu Zhiping.(2010).一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型..
MLA	邵雪,et al."一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型".(2010).

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