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	电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析
	黄文韬 ; 王吉林 ; 刘志农 ; 陈长春 ; 陈培毅 ; 钱佩信 ; 孟祥提 ; HUANG Wentao ; WANG Jilin ; LIU Zhinong ; CHEN Changchun ; CHEN Peiyi ; QIAN Peixin ; MENG Xiangti
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性 Electron irradiation, SiGe HBT, Si BJT, Electrical performance O472
其他题名	Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT
中文摘要	研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。; The change of electrical performances of 1 MeV electron irradiated silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied. After electron irradiation, the collector current IC decreased while the base current IB did not change, and the current gain β decreased for SiGe HBT. For conventional Si BJT, both IC and IB increased and β decreased much more obviously than SiGe HBT at the same fluence. It was shown that SiGe HBT had a better anti-radiation performance than Si BJT. The mechanism of electrical performance changes induced by irradiation was preliminarily discussed.; 国家自然科学基金(10075029、69836020); 国家“863”高技术研究发展计划项目(2002AA3Z1230) 资助
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/56812]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黄文韬,王吉林,刘志农,等. 电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析[J],2010, 2010.
APA	黄文韬.,王吉林.,刘志农.,陈长春.,陈培毅.,...&MENG Xiangti.(2010).电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析..
MLA	黄文韬,et al."电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析".(2010).

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