QQ客服 官方微博 反馈留言

	UHV/CVD生长本征硅外延层的研究
	岳磊 ; 陈长春 ; 许军 ; 刘志弘 ; 钱佩信 ; YUE Lei ; CHEN Chang-chun ; XU Jun ; LIU Zhi-hong ; QIAN Pei-xin
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	超高真空化学气相淀积 锗硅器件 异质结双极型晶体管 本征硅外延 UHV/CVD SiGe device Heterojunction bipolar transistor Intrinsic silicon epitaxy TN304.054
其他题名	A Study on Intrinsic Silicon Epitaxy by UHV/CVD
中文摘要	在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。; The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors.APCVD is not applicable for thin epitaxial layer with abrupt concentration profile.In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.SiGe HBT's based on the epitaxial layer exhibit excellent breakdown characteristics.
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/56759]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	岳磊,陈长春,许军,等. UHV/CVD生长本征硅外延层的研究[J],2010, 2010.
APA	岳磊.,陈长春.,许军.,刘志弘.,钱佩信.,...&QIAN Pei-xin.(2010).UHV/CVD生长本征硅外延层的研究..
MLA	岳磊,et al."UHV/CVD生长本征硅外延层的研究".(2010).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。