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	局部K参数模拟方法的稳定性证明
	曾姗 ; 喻文健 ; 杜宇 ; 洪先龙 ; 王泽毅 ; Zeng Shan ; Yu Wenjian ; Du Yu ; Hong Xianlong ; Wang Zeyi
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	电感提取 K参数矩阵 稳定性 部分电感矩阵 模拟 inductance extraction partial reluctance matrix stability partial inductance matrix simulation TN47
其他题名	The Proof of the Stability of Circuit Simulation Based on the K Method
中文摘要	采用文献(魏洪川,喻文健,杨柳,等.基于K参数思想的快速三维互连电感电阻提取算法.电子学报,2005,33(8):1365-1369)中提出的算法选取窗口,证明基于此方法提取的部分磁阻矩阵K正定,进而证明基于该矩阵的模拟稳定.; The window selection method proposed in(Wei Hongchuan,Yu Wenjian,Yang Liu,et al.Fast inductance and resistance extraction of 3-D VLSI interconnects based on the method of K element.Acta Electronica Sinica,2005,33(8):1365-1369)was used in the paper.We proved based on it,the partial reluctance matrix extracted is positive definite.So the simulation based on it is stable.; 国家自然科学基金(90407004); 清华信息科学与技术国家实验室基础研究基金
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/55887]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	曾姗,喻文健,杜宇,等. 局部K参数模拟方法的稳定性证明[J],2010, 2010.
APA	曾姗.,喻文健.,杜宇.,洪先龙.,王泽毅.,...&Wang Zeyi.(2010).局部K参数模拟方法的稳定性证明..
MLA	曾姗,et al."局部K参数模拟方法的稳定性证明".(2010).

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