局部K参数模拟方法的稳定性证明 | |
曾姗 ; 喻文健 ; 杜宇 ; 洪先龙 ; 王泽毅 ; Zeng Shan ; Yu Wenjian ; Du Yu ; Hong Xianlong ; Wang Zeyi | |
2010-06-09 ; 2010-06-09 | |
关键词 | 电感提取 K参数矩阵 稳定性 部分电感矩阵 模拟 inductance extraction partial reluctance matrix stability partial inductance matrix simulation TN47 |
其他题名 | The Proof of the Stability of Circuit Simulation Based on the K Method |
中文摘要 | 采用文献(魏洪川,喻文健,杨柳,等.基于K参数思想的快速三维互连电感电阻提取算法.电子学报,2005,33(8):1365-1369)中提出的算法选取窗口,证明基于此方法提取的部分磁阻矩阵K正定,进而证明基于该矩阵的模拟稳定.; The window selection method proposed in(Wei Hongchuan,Yu Wenjian,Yang Liu,et al.Fast inductance and resistance extraction of 3-D VLSI interconnects based on the method of K element.Acta Electronica Sinica,2005,33(8):1365-1369)was used in the paper.We proved based on it,the partial reluctance matrix extracted is positive definite.So the simulation based on it is stable.; 国家自然科学基金(90407004); 清华信息科学与技术国家实验室基础研究基金 |
语种 | 中文 ; 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/55887] ![]() |
专题 | 清华大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾姗,喻文健,杜宇,等. 局部K参数模拟方法的稳定性证明[J],2010, 2010. |
APA | 曾姗.,喻文健.,杜宇.,洪先龙.,王泽毅.,...&Wang Zeyi.(2010).局部K参数模拟方法的稳定性证明.. |
MLA | 曾姗,et al."局部K参数模拟方法的稳定性证明".(2010). |
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