| CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计 | |
| 高飞 ; 张晓平 ; 曹必松 ; 高葆新 ; GAO Fei ; ZHANG Xiao-ping ; CAO Bi-song ; GAO Bao-xin | |
| 2010-06-07 ; 2010-06-07 | |
| 关键词 | 低温放大电路 电路设计 噪声特性 cryocooled LNA MIC design amplifier noise characteristics TN722 |
| 其他题名 | Design and Analysis of Cryocooled LNA Circuit with Low VSWR |
| 中文摘要 | 为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路,本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式,将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声,通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K,输入驻波比小于1.3,输出驻波比小于1.8,增益大于17dB.; L band HEMT amplifiers applied inmobile communications must have low input VSWR,In this paper a graphic method is proposed to map the conjugated matched ΓL to Γs plane to find optimized matching network.To calculate cryocooled LNA's NF a lossy input network model is built and a temperature-dependent NF formula is obtained and verified experimentally.The cryocooled LNA in HTS front end is measured with Noise Temperature <30 K,VSWRi <1.3 and VSWRo <1.8,Gain >17dB.; 国家863项目(No.60071005); 北京科委项目; 国家自然科学基金项目(No.60171016) |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/44984]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高飞,张晓平,曹必松,等. CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计[J],2010, 2010. |
| APA | 高飞.,张晓平.,曹必松.,高葆新.,GAO Fei.,...&GAO Bao-xin.(2010).CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计.. |
| MLA | 高飞,et al."CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计".(2010). |
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