| 掺硅对封闭碳纳米管尖端几何及电子结构影响的第一原理研究 | |
| 周俊哲 ; 王崇愚 | |
| 2010-06-07 ; 2010-06-07 | |
| 关键词 | 碳纳米管 掺杂 电子结构 场发射 O481 |
| 中文摘要 | 采用第一原理DMol方法研究了碳纳米管(CNT)尖端替代式掺Si对于几何结构及电子结构的影响.计算结果表明掺Si引入掺杂态,使管端整体局域态密度在费米能级附近有很大提高,在管端形成利于电荷积聚的原子尺度尖区,且发现加电场将使管端局域态密度图中的空态能级向费米能级以下移动.基于本文的电子态密度计算可预期碳纳米管顶端掺Si有利于场致电子发射特性. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/40922]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周俊哲,王崇愚. 掺硅对封闭碳纳米管尖端几何及电子结构影响的第一原理研究[J],2010, 2010. |
| APA | 周俊哲,&王崇愚.(2010).掺硅对封闭碳纳米管尖端几何及电子结构影响的第一原理研究.. |
| MLA | 周俊哲,et al."掺硅对封闭碳纳米管尖端几何及电子结构影响的第一原理研究".(2010). |
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