β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性

	β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性
	张俊刚 ; 李斌 ; 夏长泰 ; 徐军 ; 邓群 ; 徐晓东 ; 吴锋 ; 徐悟生 ; 史宏生 ; 裴广庆 ; 吴永庆
刊名	中国科学E
	2007
卷号	37 期号:3 页码:370
关键词	β-Ga2O3:Cr 浮区法调谐激光晶体光谱
中文摘要	利用浮区法生长得到β-Ga2O3：Cr单晶体．在室温下测试了β-Ga2O3：Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱．通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数，得到10Dq/B=23．14，表明Cr^3＋在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场β-Ga2O3：Cr单晶体经高温退火后Cr^3＋的发射明显加强，而绿光的发射减弱．采用420nm波长激发，在691nm可得到强而宽的特征发射，此发射对应于Cr^3＋的^4T2→^4A2跃迁．
学科主题	光学材料;晶体
分类号	O78
收录类别	0
语种	中文
公开日期	2009-09-24
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6041]
专题	上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	张俊刚,李斌,夏长泰,等. β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性[J]. 中国科学E,2007,37(3):370, 374.
APA	张俊刚.,李斌.,夏长泰.,徐军.,邓群.,...&吴永庆.(2007).β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性.中国科学E,37(3),370.
MLA	张俊刚,et al."β-Ga2O3：Cr单晶体的浮区法生长及光学特性".中国科学E 37.3(2007):370.