退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响

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	退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响; Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film
	苏凤莲 ; 彭观良 ; 邹军 ; 宋词 ; 杭寅 ; 徐军 ; 周圣明
刊名	人工晶体学报
	2005
卷号	34 期号:1 页码:107
关键词	蓝光发射 ZnO薄膜衬底原子价带激发波长脉冲激光沉积法发光特性光激缺陷能级
ISSN号	1000-985X
其他题名	Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film
中文摘要	用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、a-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜，测量了它们的发射光谱，观察到430nm的蓝光发射，并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果。在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强。
学科主题	光学材料;晶体
分类号	O484;TN304.21
收录类别	ei
语种	中文
公开日期	2009-09-24 ; 2010-10-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5865]
专题	上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	苏凤莲,彭观良,邹军,等. 退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响, Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film[J]. 人工晶体学报,2005,34(1):107, 111.
APA	苏凤莲.,彭观良.,邹军.,宋词.,杭寅.,...&周圣明.(2005).退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响.人工晶体学报,34(1),107.
MLA	苏凤莲,et al."退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响".人工晶体学报 34.1(2005):107.