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	串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
	侯智昊 ; 刘泽文 ; 胡光伟 ; 刘理天 ; 李志坚 ; HOU Zhi-hao ; LIU Ze-wen ; HU Guang-wei ; LIU Li-tian ; LI Zhi-jian
	2010-05-12 ; 2010-05-12
关键词	射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力 radio frequency MEMS capacitive series RF MEMS switch capacitive series residue stress TP211.4
其他题名	Design and Fabrication of a Capacitive Series RF MEMS Switch
中文摘要	介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3~5GHz频段的应用。; The design and fabrication of a capacitive series RF MEMS switch is reported.The up-electrode warps up under the residue stress,which increases the isolation of the capacitive series RF MEMS switch.The disadvantage of capacitive series RF MEMS switch,which only has high isolation at below 1 GHz,is overcome.The fabrication process is the same with capacitive shunt switch.Comparing with capacitive shunt switch,the fabricated capacitive series RF MEMS switch has the advantage in low frequency application(<10 GHz).The insertion loss is-0.8 dB@3 GHz and-0.5 dB above 6 GHz;the isolation is-33.5 dB@900 MHz,-24 dB@3 GHz and-20 dB@5 GHz,which is suit for the application of frequency range from 3 GHz to 5 GHz.
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/28562]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	侯智昊,刘泽文,胡光伟,等. 串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究[J],2010, 2010.
APA	侯智昊.,刘泽文.,胡光伟.,刘理天.,李志坚.,...&LI Zhi-jian.(2010).串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究..
MLA	侯智昊,et al."串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究".(2010).

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