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	一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关
	胡光伟 ; 刘泽文 ; 侯智昊 ; 李志坚 ; HU Guang-wei ; LIU Ze-wen ; HOU Zhi-hao ; LI Zhi-jian
	2010-05-12 ; 2010-05-12
关键词	RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式 RF MEMS switch SPMT contact TP211.4
其他题名	SP4T RF MEMS Switch with Low Actuation Voltage
中文摘要	设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。; An electrostatic actuated SP4T(single-pole multi-throw)contact RF MEMS switch with low voltage is designed and fabricated.SiON(silicon oxynitride)with low initial stress is used as the functional material of the fixed-fixed bridge of the unit switch,and gold as the contact metal.The whole SP4T switch consists of coplanar waveguide which meets 50 Ω characteristic impedance match,an input port,four output ports,four static actuated bridges,and four control pads.Measurements show the actuation voltage is 18.8 V,insertion loss S21<0.26dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz,isolation S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.The results indicate that four output ports present very similar isolation,and their insertion loss are enough small at low frequency band.
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/28521]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡光伟,刘泽文,侯智昊,等. 一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关[J],2010, 2010.
APA	胡光伟.,刘泽文.,侯智昊.,李志坚.,HU Guang-wei.,...&LI Zhi-jian.(2010).一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关..
MLA	胡光伟,et al."一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关".(2010).

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