| 一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文) | |
| 幸新鹏 ; 李冬梅 ; 王志华 ; Xing Xinpeng ; Li Dongmei ; Wang Zhihua | |
| 2010-05-12 ; 2010-05-12 | |
| 关键词 | CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿 CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation TN432 |
| 其他题名 | A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation |
| 中文摘要 | 介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.; A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented.Using current mode structure,the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV.Compensated through the VEB linearization technique,this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 10ppm/℃ from 0 to 150℃.With a 1.1V supply voltage,the supply current is 43μA and the PSRR is 55dB at DC frequency.This bandgap reference has been verified in a UMC 0.18μm mixed mode CMOS technology and occupies 0.186mm2 of chip area. |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/28409]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幸新鹏,李冬梅,王志华,等. 一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)[J],2010, 2010. |
| APA | 幸新鹏,李冬梅,王志华,Xing Xinpeng,Li Dongmei,&Wang Zhihua.(2010).一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文).. |
| MLA | 幸新鹏,et al."一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)".(2010). |
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