| 使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器 | |
| 王少华 ; 于光明 ; 刘勇攀 ; 杨华中 ; WANG Shaohua ; YU Guangming ; LIU Yongpan ; YANG Huazhong | |
| 2010-05-12 ; 2010-05-12 | |
| 关键词 | 集成电路 金属氧化物半导体(MOS) 电感电容振荡器 相位噪声 变容管 integrated circuits metal oxide semiconductor(MOS) inductor-capacitor oscillator phase noise varactors TN752 |
| 其他题名 | Low noise fully digitally controlled LC oscillator with back-to-back in series MOS varactors |
| 中文摘要 | 为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)变容管。该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声。在中芯国际0.18μm互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO。仿真结果表明:当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz,与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB。; The nonlinearity of metal oxide semiconductor(MOS) varactors caused by large output signals of the fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator(DCO) can influence the DCO performance.A back-to-back in series digitally controlled MOS varactors was developed to avoid the nonlinear effect in the varactors.The DCO was designed in a semiconductor manufacturing international corporation(SMIC) 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor(CMOS) process with a central running frequency of 3.4 GHz.Simulation results show that the phase noise is below-129.4 dBc/Hz at 1.2 MHz frequency offset when running at 3.4 GHz.With the back-to-back structure,the DCO phase noise can be reduced by up to 8.1 dB. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/123456789/28037]  |
| 专题 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王少华,于光明,刘勇攀,等. 使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器[J],2010, 2010. |
| APA | 王少华.,于光明.,刘勇攀.,杨华中.,WANG Shaohua.,...&YANG Huazhong.(2010).使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器.. |
| MLA | 王少华,et al."使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器".(2010). |
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