电沉积法制备Bi_2S_3薄膜研究

CORC > 清华大学

	电沉积法制备Bi_2S_3薄膜研究
	王艳 ; 黄剑锋 ; 曹丽云 ; 曾燮榕 ; 熊信柏 ; 吴建鹏
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200904027&dbname=CJFQ2009
	2012-04-27 ; 2012-04-27
关键词	Bi2S3薄膜电沉积 pH值
中文摘要	采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征。研究了pH值、沉积时间、沉积液浓度等工艺因素对薄膜的影响。结果表明:电沉积制备Bi2S3薄膜的过程中,合适的Bi3+与S2O32-的浓度水平是至关重要的;在电沉积溶液pH=6.5,沉积时间为20 min,沉积电压为1 V,加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下,得到沿(240)晶面生长良好的Bi2S3薄膜,薄膜组成均匀致密;增加沉积溶液pH值,薄膜的结晶程度逐渐提高,红外透过比提高。
语种	中文
其他责任者	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室 ; 深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/1139]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王艳,黄剑锋,曹丽云,等. 电沉积法制备Bi_2S_3薄膜研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200904027&dbname=CJFQ2009,2012, 2012.
APA	王艳,黄剑锋,曹丽云,曾燮榕,熊信柏,&吴建鹏.(2012).电沉积法制备Bi_2S_3薄膜研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200904027&dbname=CJFQ2009.
MLA	王艳,et al."电沉积法制备Bi_2S_3薄膜研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200904027&dbname=CJFQ2009 (2012).