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强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究
柴燕杰,张汉一,周炳琨
刊名http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX512.000&dbname=CJFQ1995
2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词半导体激光器 激光器线宽 外腔激光器 弱反馈 线宽压窄 有源区 数值解 相位噪声 窄线宽 反馈率
中文摘要本文分析了具有强反馈外腔的半导体激光器线宽特性,给出了强反馈外腔半导体激光器的线宽压窄率表示式.分析结果表明:该公式与数值解的结果符合很好,并且在一定条件下,弱反馈外腔可以得到比强反馈外腔更窄的线宽.
语种中文
其他责任者清华大学电子工程系
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/2921]  
专题清华大学
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GB/T 7714
柴燕杰,张汉一,周炳琨. 强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX512.000&dbname=CJFQ1995,2012, 2012.
APA 柴燕杰,张汉一,周炳琨.(2012).强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX512.000&dbname=CJFQ1995.
MLA 柴燕杰,张汉一,周炳琨."强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX512.000&dbname=CJFQ1995 (2012).
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