碳纳米管表面沉积氧化镍及其超电容器的电化学行为

CORC > 清华大学

	碳纳米管表面沉积氧化镍及其超电容器的电化学行为
	王晓峰 ; 王大志 ; 梁吉
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200302012&dbname=CJFQ2003
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	碳纳米管氧化镍超级电容器电化学电容
中文摘要	通过催化裂解法制备了碳纳米管并进一步制备了碳纳米管薄膜电极.基于该种材料的超电容器电极比容量达到36F/g.研究了在碳纳米管薄膜基体上使用电化学方法沉积氧化镍的新工艺,制备出碳纳米管和氧化镍的复合电极.电化学测试证明复合电极的比容量提高到52F/g以上且基于这种复合电极的超电容器具有极低的自放电率.
语种	中文
其他责任者	清华大学机械工程系 ; 清华大学机械工程系北京 100084 ; 北京 100084
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/2245]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓峰,王大志,梁吉. 碳纳米管表面沉积氧化镍及其超电容器的电化学行为[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200302012&dbname=CJFQ2003,2012, 2012.
APA	王晓峰,王大志,&梁吉.(2012).碳纳米管表面沉积氧化镍及其超电容器的电化学行为.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200302012&dbname=CJFQ2003.
MLA	王晓峰,et al."碳纳米管表面沉积氧化镍及其超电容器的电化学行为".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WGCL200302012&dbname=CJFQ2003 (2012).