CORC  > 清华大学
定向多壁碳纳米管薄膜及其场致发射距离敏感特性
郭琳瑞 ; 叶雄英 ; 周兆英 ; 梁吉
刊名http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=QHXB200611020&dbname=CJFQ2006
2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词微机电系统 传感器 场致发射 碳纳米管
中文摘要研究了定向生长的多壁碳纳米管薄膜场致发射的距离敏感特性,以改进现有场发射传感器中硅及金属针尖的性能。化学气相沉积方法制备的多壁碳纳米管薄膜表现出良好的尖端放电特性,其开启电场可至1.42 V/μm,阈值电场可至2.22 V/μm,通过计算得到的尖端电场增强因子可至4 034以上。随着发射间距的增加,场致发射电流非线性地降低,发射电流对发射间距的最大变化率为0.018 8μA/μm。通过拟合分析发现,场致发射电流随发射间距的变化基本符合Fow ler-N ordhe im关系,该特性可作为碳纳米管场致发射传感器的基本原理用于位移的检测。
语种中文
其他责任者清华大学精密仪器与机械学系 ; 清华大学机械工程系 北京100084 ; 北京100084
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/2227]  
专题清华大学
推荐引用方式
GB/T 7714
郭琳瑞,叶雄英,周兆英,等. 定向多壁碳纳米管薄膜及其场致发射距离敏感特性[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=QHXB200611020&dbname=CJFQ2006,2012, 2012.
APA 郭琳瑞,叶雄英,周兆英,&梁吉.(2012).定向多壁碳纳米管薄膜及其场致发射距离敏感特性.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=QHXB200611020&dbname=CJFQ2006.
MLA 郭琳瑞,et al."定向多壁碳纳米管薄膜及其场致发射距离敏感特性".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=QHXB200611020&dbname=CJFQ2006 (2012).
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