湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

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	湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响
	崔秀芝 ; 张天冲 ; 梅增霞 ; 刘章龙 ; 刘尧平 ; 郭阳 ; 苏希玉 ; 薛其坤 ; 杜小龙
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	ZnO 分子束外延 Si 湿法刻蚀
中文摘要	利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明:Si(111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法.
语种	中文
其他责任者	中国科学院物理研究所 ; 曲阜师范大学物理工程学院 ; 清华大学物理系
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/1891]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔秀芝,张天冲,梅增霞,等. 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009,2012, 2012.
APA	崔秀芝.,张天冲.,梅增霞.,刘章龙.,刘尧平.,...&杜小龙.(2012).湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009.
MLA	崔秀芝,et al."湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009 (2012).