湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响 | |
崔秀芝 ; 张天冲 ; 梅增霞 ; 刘章龙 ; 刘尧平 ; 郭阳 ; 苏希玉 ; 薛其坤 ; 杜小龙 | |
刊名 | http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009
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2012-04-22 ; 2012-04-22 | |
关键词 | ZnO 分子束外延 Si 湿法刻蚀 |
中文摘要 | 利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明:Si(111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法. |
语种 | 中文 |
其他责任者 | 中国科学院物理研究所 ; 曲阜师范大学物理工程学院 ; 清华大学物理系 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/1891] ![]() |
专题 | 清华大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔秀芝,张天冲,梅增霞,等. 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009,2012, 2012. |
APA | 崔秀芝.,张天冲.,梅增霞.,刘章龙.,刘尧平.,...&杜小龙.(2012).湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009. |
MLA | 崔秀芝,et al."湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200901047&dbname=CJFQ2009 (2012). |
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