(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构

CORC > 清华大学

	(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构
	王新华 ; 王玲玲 ; 王怀玉 ; 邓辉球 ; 黄维清
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200510012&dbname=CJFQ2005
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	Recursion方法 (GaN)n/(AlN)n 应变层超晶格电子结构缺陷能级
中文摘要	以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
语种	中文
其他责任者	湖南大学应用物理系 ; 清华大学物理系 ; 湖南大学应用物理系长沙410082 ; 长沙410082 ; 北京100086
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/1863]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王新华,王玲玲,王怀玉,等. (GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200510012&dbname=CJFQ2005,2012, 2012.
APA	王新华,王玲玲,王怀玉,邓辉球,&黄维清.(2012).(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200510012&dbname=CJFQ2005.
MLA	王新华,et al."(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTX200510012&dbname=CJFQ2005 (2012).