H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为

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	H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为
	楼永明 ; 顾秉林 ; 高乃飞 ; 熊家炯 ; 曹必松 ; 郁伟中
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB198801025&dbname=CJFQ1988
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	正电子湮没寿命电子结构空位团过渡金属束缚态杂质贵金属散射态电子能级复合体
中文摘要	本文以胶体模型为基础,利用密度泛函理论,局域密度近似研究了H,He和Kr在过渡金属Ni,Fe,Cr和贵金属Cu中的空位团复合体的电子结构、正电子湮没寿命。结果表明:随着复合体尺寸的增加,杂质的束缚态电子能级变浅,散射态电子在复合体内的平均密度变小,正电子在复合体内的几率增大,正电子湮没寿命增加。
语种	中文
其他责任者	清华大学物理系
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/1691]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	楼永明,顾秉林,高乃飞,等. H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB198801025&dbname=CJFQ1988,2012, 2012.
APA	楼永明,顾秉林,高乃飞,熊家炯,曹必松,&郁伟中.(2012).H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB198801025&dbname=CJFQ1988.
MLA	楼永明,et al."H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB198801025&dbname=CJFQ1988 (2012).