| 直流电场诱导LB膜中分子重新取向研究 | |
| 韩奎,吴玉喜,张学龙等 | |
| 2015-09-23 ; 2015-09-23 | |
| 关键词 | Langmuir-Blodgett多层膜,二次谐波产生,电场极化,半花菁 |
| 中文摘要 | 用旋转二次谐波产生方法研究了半花菁／花生酸Y型交替LB多层膜中由外加法向直流电场诱导的分子的重新取向.外加法向直流电场能够有效地改变LB膜中光学活性半花菁分子的取向，迫使其长轴转向电场的方向.随着极化电场的增大，分子在基板平面内的各向异性逐渐减小，而二次谐波强度的增量则随外加电场的增大而呈现平方增长的规律.在室温下，用1.3×106V／m的电场极化10min，可以使半花菁LB多层膜的二次谐波强度增大一个量级. |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.calis.edu.cn/hdl/232060/17505]  |
| 专题 | 中国矿业大学（徐州） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩奎,吴玉喜,张学龙等. 直流电场诱导LB膜中分子重新取向研究[J],2015, 2015. |
| APA | 韩奎,吴玉喜,张学龙等.(2015).直流电场诱导LB膜中分子重新取向研究.. |
| MLA | 韩奎,吴玉喜,张学龙等."直流电场诱导LB膜中分子重新取向研究".(2015). |
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