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	一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计
	刘海 ; 崔海娜 ; 潘洪帅 ; 牛晓聪 ; 程雪 ; 荆胜羽 ; 程德强
	2015-09-01 ; 2015-09-01
中文摘要	本发明提供了一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计；该带隙基准电压源电路由四个部分组成：运算放大器电路、启动和偏置电路、提高抑制比电路、带隙基准电压源电路；采用高增益运算放大器有效保证△VBE的精度和稳定性，通过多级放大减小失调；启动和偏置电路向其它电路提供启动电压和偏置，并在其它电路启动后关闭；提高抑制比电路采用电流回馈模式提高整个电路对电源变化的抑制，产生局部电源VDDL，增强电路抗干扰性能；带隙基准电压源电路采用自偏压cascade结构的电流镜，提高了输出电压的电源抑制比，与外部电路协调产生性能稳定的零温度系数的基准电压；本发明由于采用了高增益的两级运放，电压源隔离技术，RC补偿网络及自偏压cascode结构电流镜结构，使得电路具有低失调电压、高相位裕度、高增益、高抑制比，并降低了由MOS器件沟道调制效应引起的影响。; 专利类型： 发明专利 申请（专利）号： CN201310426231.4 申请日期： 2013年9月18日 公开(公告)日： 2014年2月5日 公开(公告)号： CN103558890A 主分类号： G05F1/56,G05F1/00,G,G05,G05F,G05F1 分类号： G05F1/56,G05F1/00,G,G05,G05F,G05F1,G05F1/56,G05F1/00 申请（专利权）人： 中国矿业大学 发明（设计）人： 刘海,崔海娜,潘洪帅,牛晓聪,程雪,荆胜羽,程德强 主申请人地址： 221116 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学南湖校区 国别省市代码： 江苏;32 主权项： ?一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计，其特征在于：运算放大器电路、启动和偏置电路、提高抑制比电路、带隙基准电压源电路；所述运算放大器电路的主要作用是保证△VBE的精确性，通过多级放大减小失调；所述启动和偏置电路用于向其它电路提供启动电压和偏置，并在其它电路启动后关闭；所述提高抑制比电路用于产生局部参考电源VDDL，降低电路对外部电源的依赖，增强电路抗干扰性能；所述带隙基准电压源电路采用自偏压?cascade结构的电流镜，降低由MOS器件沟道调制效应引起的影响，提高了输出电压的电源抑制比，与外部电路协调产生性能稳定的零温度系数的基准电压。 法律状态： 公开 ，公开
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/232060/10789]
专题	中国矿业大学（徐州）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘海,崔海娜,潘洪帅,等. 一种具有高增益高抑制比的带隙基准电压源设计. 2015-09-01, 2015-09-01.

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