| 脑部电损毁电极 | |
| 杨上川; 胡新天; 江慧慧; 马原野 | |
| 2012 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN202619842U |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院昆明动物研究所 |
| 中文摘要 | 脑部电损毁电极,属生命科学试验研究用装置技术领域。包含有：一导管,一管塞,一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极；管塞,偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用,管塞用于在套管插入时堵塞导管,以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点：可在一次性插入导管的情况下,对较大区域的脑结构进行电损毁,对其他部位脑组织的损伤较小,可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。 |
| 公开日期 | 2012-12-26 |
| 申请日期 | 2012-04-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201220159329.9 |
| 专利代理 | 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.149.26:8080/handle/152453/11569]  |
| 专题 | 昆明动物研究所_认知障碍病理学 昆明动物研究所_神经系统编码 |
| 作者单位 | 中国科学院昆明动物研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨上川,胡新天,江慧慧,等. 脑部电损毁电极. CN202619842U. 2012-01-01. |
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