窄脊半导体器件的制备方法
杨冠卿 ; 梁平 ; 徐波 ; 陈涌海 ; 王占国
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院
学科主题半导体物理 ; 半导体器件
公开日期2017-06-05
申请日期2017-01-22
专利申请号201710054287 .X
专利代理中科专利商标代理有限责任公司 11021
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28210]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨冠卿,梁平,徐波,等. 窄脊半导体器件的制备方法.
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