| 题名 | 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 |
| 作者 | 李巍 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2017-06-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王晓亮 |
| 关键词 | 氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2017-06-05 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28224]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李巍. 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
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