一种改进型金属-半导体-金属光电探测器数学模型

CORC > 上海光学精密机械研究所 > 中国科学院上海光学精密机械研究所 > 先进激光技术与应用系统实验室

	一种改进型金属-半导体-金属光电探测器数学模型; Improved Numerical Model of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
	范辉 ; 陆雨田
刊名	中国激光
	2007
卷号	34 期号:8 页码:1032
关键词	光学器件 optical devices 金属-半导体-金属光电探测器 metal-semiconductor-metal photodetector 数学模型 numerical model Matlab Matlab 光电集成回路 optoelectronic integrated circuit
ISSN号	0258-7025
其他题名	Improved Numerical Model of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
中文摘要	以E. Sano的金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)模型为基础,提出了一种改进型的模型。该模型以多个电流源和电容并联的形式构造,以吸收区过剩电子和空穴总数为研究对象,求解速率方程。另外计算了电容,给出了暗电流与端电压的非线性计算式,改进了传统模型中暗电流的线性计算方法。通过线性叠加给出了该模型光电流的数学解析解。通过在Matlab中的模拟计算,表明该模型具有计算量小、准确度高的特点,它不仅能反映一定偏压和光照下光电流的变化,而且能展示光电子在器件中的转化过程。这种模型也能较好地应用于微弱信号的检; Based on E. Sano′s metal-semiconductor-metal photodetector (MSM-PD) model, an improved numerical model is presented. The model is built with parallel current sources and capacitance. The sum of excess electron and photon in absorption layer is studied, and the rate equations are solved. The capacitance is calculated, the nonlinear relationship between the dark current and the terminal voltage is derived, and the linear calculation of the dark current in conventional model is improved. The mathematical expression of the photoelectric current is presented. The simulation analysis by Matlab indicates the calculation is simplified with a higher precision. This model represents the change of photoelectric current under some bias and illumination conditions, and shows the transfer of photoelectron in devices. This model can also be used in measuring and simulating weak signals.
分类号	TN362
收录类别	ei
语种	中文
公开日期	2009-09-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/2823]
专题	上海光学精密机械研究所_先进激光技术与应用系统实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	范辉,陆雨田. 一种改进型金属-半导体-金属光电探测器数学模型, Improved Numerical Model of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector[J]. 中国激光,2007,34(8):1032, 1036.
APA	范辉,&陆雨田.(2007).一种改进型金属-半导体-金属光电探测器数学模型.中国激光,34(8),1032.
MLA	范辉,et al."一种改进型金属-半导体-金属光电探测器数学模型".中国激光 34.8(2007):1032.