| 碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法 | |
| 陈婷; 洪序达; 陈垚; 孙竹; 桂建保; 郑海荣 | |
| 2012-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 201210544357.7 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 授权日期 | 2016-09-07 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siat.ac.cn:8080/handle/172644/9490]  |
| 专题 | 深圳先进技术研究院_先进院专利 |
| 作者单位 | 2012-12-15 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈婷,洪序达,陈垚,等. 碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法. 201210544357.7. 2012-12-15. |
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