二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质

	二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质
	董少强; 田洪坤; 耿延候; 王佛松
刊名	科学通报
	2015
卷号	61 期号:3 页码:315-324
关键词	有机半导体酞菁溶液加工有机薄膜晶体管迁移率
中文摘要	设计与合成了2,3-二辛基酞菁氧钒(2,3-C8OVPc),2,16(17)-二辛基酞菁氧钒(dp-C8OVPc),1,15-二辛基酞菁氧钒(1,15-C8OVPc)和1,18-二辛基酞菁氧钒(1,18-C8OVPc)4种可溶性酞菁氧钒衍生物,研究了辛基位置对该类化合物的物理化学性质、固态薄膜形貌和有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能的影响.在溶液状态下,辛基的位置对共轭分子的吸收光谱和前线轨道能级影响很小,它们的最大吸收峰均在700 nm左右,最高被占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)能级分别约为-5.20和-3.80 eV.在薄膜状态下,吸收光谱显著红移,且红移幅度与辛基的位置有关.4个化合物在薄膜中均以edge-on的方式排列,由它们制备的底栅-顶接触型OTFT器件的迁移率均大于0.1 cm~2/(Vs),其中2,3-C8OVPc的迁移率最高,达到0.19 cm~2/(Vs
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5627057
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/77746]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	董少强,田洪坤,耿延候,等. 二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质[J]. 科学通报,2015,61(3):315-324.
APA	董少强,田洪坤,耿延候,&王佛松.(2015).二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质.科学通报,61(3),315-324.
MLA	董少强,et al."二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质".科学通报 61.3(2015):315-324.