| 二氧化碳基聚脲及其制备方法与应用 | |
| 应忠; 赵凤玉 | |
| 2015-02-18 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201510086431.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种二氧化碳基聚脲及其制备方法与应用,属于高分子材料技术领域。解决了现有技术中二氧化碳基聚脲的制备方法制备的二氧化碳基聚脲分子量低,无法进一步应用的技术问题。该方法将预聚物或者切片后的预聚物加入反应装置中,然后向反应装置中持续吹扫二氧化碳,预聚物中的氨基反应完全,生成二氧化碳基聚脲,反应温度为120-400℃,反应压力为0.1-20MPa,反应时间为0.5-50h。该方法中持续吹扫的二氧化碳既能带走二氧化碳在高压聚合中未排除的副产物水又能插入反应体系,制备的聚脲数均分子量在5000-50000之间,性能优异。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/78344]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_专利 |
| 作者单位 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 应忠,赵凤玉. 二氧化碳基聚脲及其制备方法与应用. CN201510086431.9. 2015-02-18. |
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