γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变

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	γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变
	程勇 1; 李小虎 1; 刘伟华 1; 吴国忠 1; 王谋华 1
刊名	高等学校化学学报
	2016
卷号	v.37 期号:3 页码:595-599
关键词	电子自旋共振聚碳硅烷 γ射线辐射自由基
ISSN号	0251-0790
中文摘要	利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基.
收录类别	其他
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26187]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年
作者单位	1.上海大学理学院 2.中国科学院上海应用物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程勇,李小虎,刘伟华,等. γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变[J]. 高等学校化学学报,2016,v.37(3):595-599.
APA	程勇,李小虎,刘伟华,吴国忠,&王谋华.(2016).γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变.高等学校化学学报,v.37(3),595-599.
MLA	程勇,et al."γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变".高等学校化学学报 v.37.3(2016):595-599.