四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算

	四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算
	周易 ; 陈建新 ; 何力
刊名	红外与毫米波学报
	2013-02-15
卷号	32 期号:1
关键词	Ⅱ类超晶格包络函数近似能带计算
中文摘要	在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与实验结果进行比较,超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化,带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料,非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长。
语种	中文
公开日期	2014-11-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/7772]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	周易,陈建新,何力. 四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算[J]. 红外与毫米波学报,2013,32(1).
APA	周易,陈建新,&何力.(2013).四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算.红外与毫米波学报,32(1).
MLA	周易,et al."四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算".红外与毫米波学报 32.1(2013).