Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors | |
LinWang ; Xiao-ShuangChen ; Wei-DaHu ; WeiLu | |
刊名 | IEEE J SEL TOP QUANT
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2013 | |
卷号 | 19期号:1 |
关键词 | Highelectronmobilitytransistors(HEMTs) plasmonics spectrum terahertz(THz)detectors |
学科主题 | 红外基础研究 |
公开日期 | 2014-11-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7700] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | LinWang,Xiao-ShuangChen,Wei-DaHu,et al. Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors[J]. IEEE J SEL TOP QUANT,2013,19(1). |
APA | LinWang,Xiao-ShuangChen,Wei-DaHu,&WeiLu.(2013).Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors.IEEE J SEL TOP QUANT,19(1). |
MLA | LinWang,et al."Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors".IEEE J SEL TOP QUANT 19.1(2013). |
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