GaSb量子点液相外延生长研究 | |
胡淑红 ; 邱锋 ; 吕英飞 ; 孙常鸿 ; 王奇伟 ; 郭建华 ; 邓惠勇 ; 戴宁 ; ZHUANGQian-Dong ; YINMin ; KRIERAnthony | |
刊名 | 红外毫米波学报 |
2013-01-01 | |
卷号 | 32期号:3 |
关键词 | GaSb量子点 二类量子点结构 液相外延 原子力显微镜 |
中文摘要 | 采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义. |
学科主题 | 红外基础研究 |
公开日期 | 2014-11-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7694] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡淑红,邱锋,吕英飞,等. GaSb量子点液相外延生长研究[J]. 红外毫米波学报,2013,32(3). |
APA | 胡淑红.,邱锋.,吕英飞.,孙常鸿.,王奇伟.,...&KRIERAnthony.(2013).GaSb量子点液相外延生长研究.红外毫米波学报,32(3). |
MLA | 胡淑红,et al."GaSb量子点液相外延生长研究".红外毫米波学报 32.3(2013). |
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