建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 | |
何俊; 张雪梅; 程治英; 李德铢 | |
2013-08-22 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN201310369919.3 |
专利类型 | 发明 |
中文摘要 | 提供建立梳唇石斛(Dendrobiumstrongylanthum Rchb.f.)离体持续开花体系的方法,取梳唇石斛外植体,进行离体培养,培养温度为25±2℃,光照强度为20μmol/(m2·s),光照12h/d,基本培养基为1/2MS,诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%,所有培养基PH值为5.8,加5.6g/L琼脂固化。 |
公开日期 | 2013-11-20 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.kib.ac.cn/handle/151853/28730] |
专题 | 昆明植物研究所_中国西南野生生物种质资源库 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何俊,张雪梅,程治英,等. 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法. CN201310369919.3. 2013-08-22. |
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