建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法

	建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法
	何俊; 张雪梅; 程治英; 李德铢
	2013-08-22
专利国别	中国
专利号	CN201310369919.3
专利类型	发明
中文摘要	提供建立梳唇石斛（Dendrobiumstrongylanthum Rchb.f.）离体持续开花体系的方法，取梳唇石斛外植体，进行离体培养，培养温度为25±2℃，光照强度为20μmol/（m2·s），光照12h/d，基本培养基为1/2MS，诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%，所有培养基PH值为5.8，加5.6g/L琼脂固化。
公开日期	2013-11-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://ir.kib.ac.cn/handle/151853/28730]
专题	昆明植物研究所_中国西南野生生物种质资源库
推荐引用方式 GB/T 7714	何俊,张雪梅,程治英,等. 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法. CN201310369919.3. 2013-08-22.