极紫外光刻投影物镜波像差检测技术研究

	极紫外光刻投影物镜波像差检测技术研究
	唐锋; 王向朝; 郭福东; 冯鹏; 张国先; 徐世福; 程欣
	2014
中文摘要	光刻技术是极大规模集成电路制造的核心技术。光刻工艺中最关键的设备一光刻机,直接决定了集成电路芯片的特征尺寸。极紫外光刻(EUVL,曝光波长13.5nm)是集成电路制造技术进入1xnm以下节点的主要备选光刻技术之一。美国EUV LLC、VNL、SEMATECH,日本EUVA等组织,以及ASML、Nikon等高端光刻机制造厂商在EUVL技术领域开展了大量工作。ASML公司目前处于领先地位;2006年、2010年、2013年,ASML公司分别向客户交付了3代EUV光刻系统,第三代EUV光刻机NXE:3300B(NA 0.33)特征尺寸达到22nm。超高精度的波像差检测装置是极紫外光刻投影物镜装...
会议录	第十五届全国光学测试学术交流会论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17248]
专题	上海光学精密机械研究所_信息光学与光电技术实验室
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐锋,王向朝,郭福东,等. 极紫外光刻投影物镜波像差检测技术研究[C]. 见:.