硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

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	硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性
	刘启明 ; 赵修建 ; 顾玉宗 ; 黄明举 ; 顾冬红 ; 干福熹
刊名	材料研究学报
	2002
卷号	16 期号:2 页码:164
其他题名	Properties of Ge-As-S chalcogenide amorphous semiconductor
中文摘要	用差热分析、X射线衍射分析和透射光谱分析等手段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能。结果表明，Ge-As-S体系的成玻能力较强。在空气中自然冷却就能成玻，其(T_g-T_c)/T_g值为0.127～0.289。经激光辐照曲线向短波方向移动。且平移的大小随激光功率的增加而增加。薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐照导致薄膜光致结构变化。利用电子束辐射极化。通过Maker条纹测试方法在Ge-As-S玻璃中观察到二次谐波。
英文摘要	Ge-As-S bulk glasses and films deposited by pulse laser were studied by the differential thermal analysis, X-ray diffraction analysis and transmittance spectra analysis technologies. The results indicated that the Ge-As-S system has better glass-forming ability and the (T_g-T_c)/T_g is 0.127～0.289. The XRD results showed that the Ge-As-S bulk and film were amorphous. The transmittance spectra of bulk glasses, as-deposited films and illuminated films were different and the spectra of illuminated film shifted to shorter wavelength. The magnitude of shift increased with the increase of the intensity of the illumination light. The shift means that photoinduced changed by Ar ion laser illumination happened in Ge-As-S system. By the method of Maker, second harmonic generation was observed in the Ge-As-S bulk glass poled by the electron beam.
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:961185
内容类型	期刊论文
版本	出版稿
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/18007]
专题	上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室
作者单位	1.刘启明, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 材料复合新技术国家重点实验室. 2.赵修建, 武汉工业大学, 材料复合新技术国家重点实验室. 3.顾玉宗, 中国科学院上海光学精密机械研究所. 4.黄明举, 中国科学院上海光学精密机械研究所. 5.顾冬红, 中国科学院上海光学精密机械研究所. 6.干福熹, 中国科学院上海光学精密机械研究所.
推荐引用方式 GB/T 7714	刘启明,赵修建,顾玉宗,等. 硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性[J]. 材料研究学报,2002,16(2):164.
APA	刘启明,赵修建,顾玉宗,黄明举,顾冬红,&干福熹.(2002).硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性.材料研究学报,16(2),164.
MLA	刘启明,et al."硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性".材料研究学报 16.2(2002):164.