导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究

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	导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究
	黄明举 ; 姚华文 ; 陈仲裕 ; 侯立松 ; 干福熹
刊名	光子学报
	2002
卷号	31 期号:7 页码:855
其他题名	The factor of introducing the Bragg-mismatch during the photopolymer holographic exposure
中文摘要	研究了光聚物高密度全息存储材料在全息记录过程中曝光量、曝光时间、厚度收缩比例、折射率调制度及记录角度等因素对布喇格偏移随曝光时间增加缓慢增加最后达到饱和、而布喇格偏移随厚度收缩比例和折射率调制度的增加以接近正比例的关系增加；记录光栅的倾斜度越大则布喇格偏移也越大。这些结论对光聚物高密度全息存储研究具有重要的意义。
英文摘要	The factors such as exposure energy, exposure time, thickness shrindage percent, recording angles and refractive index modulation that introduce the Brass-mismatch during photopolymer holographic exposure are studied. The results show that for constant exposure energy, the exposure time influence the Bragg-mismatch a little, for inconstant exposure energy, the Bragg-mismatch increases with exposure energy at first, and reaches saturation when the exposure energy surpass an exposure threshold. The Bragg-mismatch increases with the thickness shrinkage percent and refractive index modulation just about linearly. The more slanted the grating the larger Bragg-mismatch will be. These results ane important to the study of the photopolymer high-density holographic recording.
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:989390
内容类型	期刊论文
版本	出版稿
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17954]
专题	上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室
作者单位	1.黄明举, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 2.姚华文, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 3.陈仲裕, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 4.侯立松, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 5.干福熹, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
推荐引用方式 GB/T 7714	黄明举,姚华文,陈仲裕,等. 导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究[J]. 光子学报,2002,31(7):855.
APA	黄明举,姚华文,陈仲裕,侯立松,&干福熹.(2002).导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究.光子学报,31(7),855.
MLA	黄明举,et al."导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究".光子学报 31.7(2002):855.