电子束辐射下Ge-As-S硫系玻璃的二阶非线性光学效应
刘启明; 赵修建; 干福熹
刊名光学学报
2001
卷号21期号:6页码:683
中文摘要通过Maker条纹测试方法 ,在电子束辐射下的Ge As S硫系玻璃中 ,观察到明显的二阶非线性光学效应 ,并讨论了该效应的机理。通过Maker条纹图可以看出 ,二次谐波强度的大小主要与加速电压的大小有关 ,并在± (5 0°~ 6 0°)入射角时出现最大值。
收录类别EI
语种中文
内容类型期刊论文
版本出版稿
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17360]  
专题上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室
作者单位1.刘启明, 武汉理工大学, 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉, 湖北 430070, 中国.
2.赵修建, 武汉理工大学, 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉, 湖北 430070, 中国.
3.干福熹, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国.
推荐引用方式
GB/T 7714
刘启明,赵修建,干福熹. 电子束辐射下Ge-As-S硫系玻璃的二阶非线性光学效应[J]. 光学学报,2001,21(6):683.
APA 刘启明,赵修建,&干福熹.(2001).电子束辐射下Ge-As-S硫系玻璃的二阶非线性光学效应.光学学报,21(6),683.
MLA 刘启明,et al."电子束辐射下Ge-As-S硫系玻璃的二阶非线性光学效应".光学学报 21.6(2001):683.
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