Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究

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	Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究
	李璇 ; 麻尉蔚 ; 马凤凯 ; 狄聚青 ; 郑丽和 ; 姜大鹏 ; 苏良碧 ; 杨秋红 ; 徐军
刊名	人工晶体学报
	2014
卷号	43 期号:6 页码:1327
关键词	激光晶体提拉法分凝系数发射光谱
其他题名	Growth and Spectral Properties of Sc2SiO5 Laser Crystal Doped with Ho~(3+)
中文摘要	采用提拉法分别生长了具有高光学质量管理中心_期刊论文的0. 5at%和1.0at%的Ho∶ Sc_2SiO_5( Ho∶ SSO)激光晶体。研究表明晶体空间群为C_2/c,晶胞参数为a=0. 99723 nm,b=0. 64261 nm,c=1.16843 nm,beta=103. 9°。Ho~(3+)在SSO基质中的分凝系数为0. 82。Ho∶ SSO晶体在2085 nm处发射截面为1.12*10~(-20) cm~2,发射光谱呈现一个1850~2150 nm的宽发射带。当粒子数反转比率beta=0.25时,增益截面sigmag即开始出现正增益。综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶ SSO晶体是一种有潜力的2mum波段激光介质。
英文摘要	Sc_2SiO_5 ∶ 0. 5at% Ho ( Ho ∶ SSO) and Sc_2SiO_5 ∶ 1. 0at% Ho bulk crystals were obtained by Czochralski method. The results indicate that the space group of Ho ∶ SSO crystal is C_2/c. The cell parameters were calculated to be a = 0. 99723 nm,b = 0. 64261 nm,c = 1. 16843 nm and beta = 103. 9°. The segregation coefficient of Ho~(3+) in SSO host were calculated to be 0. 82. The emission cross section in 2085 nm is 1. 12 * 10~(-20)cm~2 . The broad emission spectrum is extended from 1850 nm to 2150 nm. When the inversion ratio equals to 0. 25,the gain cross-section appeared to be positive. Laser properties were evaluated and all these data indicated that Ho∶ SSO is promising for 2 mum laser operation.
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5187615
内容类型	期刊论文
版本	出版稿
源URL	[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/12541]
专题	上海光学精密机械研究所_中科院强激光材料重点实验室
作者单位	1.李璇, 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200444, 中国. 2.杨秋红, 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200444, 中国. 3.麻尉蔚, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 4.马凤凯, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 5.郑丽和, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 6.姜大鹏, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 7.苏良碧, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201
推荐引用方式 GB/T 7714	李璇,麻尉蔚,马凤凯,等. Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究[J]. 人工晶体学报,2014,43(6):1327.
APA	李璇.,麻尉蔚.,马凤凯.,狄聚青.,郑丽和.,...&徐军.(2014).Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究.人工晶体学报,43(6),1327.
MLA	李璇,et al."Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究".人工晶体学报 43.6(2014):1327.