新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计

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	新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计
	赵旭; 缪国庆; 张志伟; 曾玉刚
刊名	发光学报
	2015-01-15
期号	01 页码:75-79
关键词	红外探测器 APSYS 盖层光谱响应度暗电流
中文摘要	设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、In As0.6P0.4厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能。与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10%,暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120~250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250~300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54162]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	赵旭,缪国庆,张志伟,等. 新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计[J]. 发光学报,2015(01):75-79.
APA	赵旭,缪国庆,张志伟,&曾玉刚.(2015).新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计.发光学报(01),75-79.
MLA	赵旭,et al."新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计".发光学报 .01(2015):75-79.